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| 专利发布（31） |
| 发布日期：2012-05-09 |
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专利名称： 一种异质结太阳电池及其制备方法 专 利 号： ZL201010213233.1 专利权人： 常州大学 本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法，特指利用带隙变化的纳米晶-非晶两相薄膜材料和单晶硅制备异质结太阳电池。属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明的特点是利用纳米晶-非晶两相硅薄膜和P型体硅制造硅基异质结太阳电池。纳米晶-非晶两相硅的带隙高于体硅的带隙(1.12eV)，所以异质结的开路电压得到提高。另一方面，纳米晶-非晶两相硅的带隙从1.3eV变化到1.8eV，由于带隙是渐变的，p型体硅和纳米晶-非晶两相硅之间的能带缓慢变化，提高了短路电流和填充因子。硅基薄膜层利用了较厚本征纳米晶-非晶两相硅和极薄的n型纳米晶-非晶两相硅的组合，进一步降低了电子-空穴在纳米晶-非晶两相硅层中的复合概率，从而提高短路电流。 专利名称： 一种新型结构的薄膜太阳电池 专 利 号： ZL201010194951.9 专利权人： 常州大学 一种新型结构的薄膜太阳电池，采用PIN结构，本征吸收层I利用多个不同带隙的薄膜材料组成，同时在相邻不同带隙的薄膜之间设计增反层，当光照射在增反层的上下表面，提高分波段光吸收的效果。每层增反层厚度有数个起伏，在一定的波长范围内起增反的作用。本发明一方面提高光的吸收效率，另一方面降低高能光子入射被吸收产生电子空穴对后，剩余能量造成的太阳电池温度的升高，避免了多结薄膜电池的短路电流受制于其中最低单节短路电流的问题，同时避免了P/N界面的势垒影响，降低了P/I界面的影响。由于增反层的增反效果，提高了分波段光的吸收效率；由于增反层薄膜的电阻很小，由此引入的负载电阻对短路电流的影响很小。有效提高了薄膜太阳电池的效率。 专 利 号： ZL201010187573.1 专利权人： 常州大学 本发明提供一种纳米硅量子点的制备方法并将该方法用于薄膜太阳电池的制造中。利用PECVD方法生长非晶硅，采用双光束逐层扫描晶化非晶硅薄膜，在非晶网络中形成纳米晶硅。飞秒激光双光束逐层扫描非晶硅是利用三维样品台的移动。首先，飞秒激光聚焦在样品中某一点，激光在该样品深度对样品进行平面扫描，一行一行移动扫描。该层扫描结束后，样品台上移，激光再聚焦到上一平面扫描。通过调控激光功率、脉冲宽度、重复频率和扫描速率，从而在非晶硅网络里形成晶粒大小分布在30-50nm范围，晶粒间距控制在20-40nm左右的纳米硅阵列。利用该纳米硅量子点层可用来制作硅基薄膜电池，提高电池转化效率。 |
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